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Projet technologique RENNES (option energie)

588-3 Projet technologique RENNES (option energie) Matériaux et Chimie (formation initiale sous statut étudiant) S8
Cours : 12 h TD : 24 h TP : 0 h Projet : 0 h Total : 36 h
Responsable : Jean-Michel Rueff
Pré-requis
2M2AD1
Objectifs de l'enseignement
Ce stage, réalisé en salle blanche à Rennes pendant une semaine, permet aux étudiants de réaliser la fabrication complète de transistor de type PMOS ainsi que leur caractérisation.
Programme détaillé
Utilisation d'un procédé de fabrication d’un transistor PMOS par photolithographie selon les étapes technologiques suivantes:
1) Ouverture des fenêtres source et drain à travers l'oxyde de masquage et dopage par diffusion
2) Gravure de l'oxyde de masquage au niveau de la grille
3) Oxydation sèche au niveau de la grille et ouverture des fenêtres de prises de contact source et drain
4) Dépot d'aluminium et gravure de contacts métalliques
5) Caractérisations électriques.
Applications (TD ou TP)
Non renseigné
Compétences acquises
A l'issue de ce stage les étudiants possèdent une expérience pratique de la réalisation et de la caractérisation de structures de type PMOS. Ils auront également appris à évoluer et travailler en salle blanche.

Ce module vise le niveau 2/3 (approfondissement) de compétences pour la totalité du bloc 1 (appréhender), pour une partie du bloc 2 (2.2: Aptitude à prendre en compte les enjeux environnementaux et 2.3: Aptitude à prendre en compte l'organisation du travail) et la totalité des blocs 3 (synthétiser), 4 (modéliser et caractériser) et 5 (tester et valider des solutions innovantes).
Bibliographie
Non renseigné

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