344 | Composants actifs et applications basse puissance | Génie physique et systèmes embarqués (formation initiale sous statut étudiant) | S5 | ||||||
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Cours : 11 h | TD : 10 h | TP : 16 h | Projet : 0 h | Total : 37 h | |||||
Responsable : Stephane Flament |
Pré-requis | |
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Calcul différentiel Fondamentaux de l'analyse des circuits électriques basse fréquence |
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Objectifs de l'enseignement | |
Justifier la nécessité et expliquer le fonctionnement de composants semiconducteurs passifs et actifs dans les applications électroniques d'alimentation, d'amplification. Mettre en oeuvre des composants semiconducteurs passifs (diodes) et actifs (transistors bipolaires et MOS) semiconducteurs |
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Programme détaillé | |
Les differents types de diodes, caractéristiques IV, mode de polarisation, domaines d'applications, modèle petits signaux basse fréquence. LE transistor bipolaire en tant qu'amplificateur de courant. Mode d'utilisation : saturé ou amplificateur de courant. Etude de redresseur simple ou double alternance Structure d'une source de tension stable, variable. Eléments de physique de semiconducteurs : gap, dopage, courant de diffusion, jonction PN |
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Applications (TD ou TP) | |
Redressement et régulation de tension. Structure d'un générateur de tension : analyse statique et analyse petits signaux Montages photo-récepteurs bouclés. |
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Compétences acquises | |
COMPETENCES SPECIFIQUES Compréhension du rôle des composants de type diodes et transistors. Rôle et fonctionnement d'un redresseur de tension. Structure d'un générateur de tension stable, variable. Analyse statique et analyse petits signaux d'un circuit COMPETENCES GENERIQUES Bloc compétence : Acquisition de connaissances et méthodes scientifiques et techniques et maîtrise de leur mise en oeuvre -> Niveau 1 de 'Capacité à trouver, évaluer une information pertinente puis à l'exploiter, capacité s'auto-évaluer, enrichir ses connaissances et compétences' et -> Niveau 1 de Capacité à mobiliser des connaissances scientifiques et des techniques expérimentales ou de simulation |
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Bibliographie | |
A.P. Malvino, Principes d'électronique, Ed. Dunod M. GIRARD, Composants actifs discrets Tome I et II G. Goureaux, Physique des composants et dispositifs électroniques, Ed Masson |
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