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Projet technologiqueRENNES

2M2AD2 Projet technologiqueRENNES Matériaux et Chimie S8
Cours : 12 h TD : 30 h TP : 0 h Projet : 0 h Total : 42 h
Responsable : Jean-Michel Rueff
Pré-requis
2M2AD1
Objectifs de l'enseignement
Ce stage, réalisé en salle blanche à Rennes pendant une semaine, permet aux étudiants de réaliser la fabrication complète de transistor de type PMOS ainsi que leur caractérisation.
Programme détaillé
Utilisation d'un procédé de fabrication d’un transistor PMOS par photolithographie selon les étapes technologiques suivantes:
1) Ouverture des fenêtres source et drain à travers l'oxyde de masquage et dopage par diffusion
2) Gravure de l'oxyde de masquage au niveau de la grille
3) Oxydation sèche au niveau de la grille et ouverture des fenêtres de prises de contact source et drain
4) Dépot d'aluminium et gravure de contacts métalliques
5) Caractérisations électriques.
Applications (TD ou TP)
Non renseigné
Compétences acquises
A l'issue de ce stage les étudiants possèdent une expérience pratique de la réalisation et de la caractérisation de structures de type PMOS. Ils auront également appris à évoluer et travailler en salle blanche.

Niveau 1 des compétences:"Capacité à mobiliser des connaissances scientifiques et des techniques expérimentales ou de simulation" et Capacité à effectuer des activités de recherche, fondamentale ou appliquée, à mettre en place des dispositifs expérimentaux, à s'ouvrir à la pratique du travail collaboratif"
Bibliographie
Non renseigné

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